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O SKIIP 39AC12T4V1 é um módulo IGBT da família dos semicondutores.O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) foi criado a partir das características do transistor bipolar e o MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). O transistor bipolar permite manipular elevadas correntes com mínimo de perdas e quedas de tensão, porém, como operam como amplificadores de corrente, exigindo correntes elevadas em suas entradas, acabam possuindo desvantagens em algumas aplicações. O Mosfet (transistor de efeito campo) também permitindo o controle de potências elevadas, sendo componentes de alta impedância (oferecendo baixa tensão de saturação), possuem baixa velocidade de comutação.O IGBT, juntando as características dos componentes explicados acima, é recomendado para conversões de elevadas cargas/tensões em alta velocidade e para aplicações em baixas frequências.
Features
– Trench 4 IGBTs- Robust and soft free-wheeling diodes in CAL technology- Highly reliable spring contacts for electrical connections- SKIIP 39AC12T4V1 MiniSKiip 3
Typical Applications
– Inverter up to 50kVA- Typical motor power 30kW
Remarks
– Max. case temperature limited to Tc=125ºC- Product reliability results valid for Tj≤150ºC (recommended Tjop=-40..+150ºC)- For short circuit: soft Rgoff recommendedSKIIP 39AC12T4V1
