SKM150GB12T4G

SKM150GB12T4G

O SKM150GB12T4G é um componente eletronico de estrutura NPT (Non Punch Through), não sendo necessário limitar o tempo de vida dos portadores de carga. É um módulo com fornecedores de energia de modo comutado (não para uso linear).O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) foi criado a partir das características do transistor bipolar e o MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). O transistor bipolar permite manipular elevadas correntes com mínimo de perdas e quedas de tensão, porém, como operam como amplificadores de corrente, exigindo correntes elevadas em suas entradas, acabam possuindo desvantagens em algumas aplicações. O Mosfet (transistor de efeito campo) também permitindo o controle de potências elevadas, sendo componentes de alta impedância (oferecendo baixa tensão de saturação), possuem baixa velocidade de comutação.O IGBT, juntando as características dos componentes explicados acima, é recomendado para conversões de elevadas cargas/tensões em alta velocidade e para aplicações em baixas frequências.

Features

– IGBT4 = 4. generation fast trench IGBT (Infineon)- CAL4 = Soft switching 4. generation CAL-diode- Isolated copper baseplate using DBC technology (direct bonded copper)- Increased power cycling capability- With integrated gate resistor- For higher switching frequenzies up to 20kHz

Typical Applications

– AC inverter drives- UPS- Electronic welders at fsw up to 20kHz

Remarks

– Case temperature limited to Tc=125ºC max.- Recommended Top = -40…+150ºC- Product reliability results valid for Tj = 150ºC

SKM150GB12T4G