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O BSM75GB120DN2 é um componente eletronico de estrutura NPT (Non Punch Through), não sendo necessário limitar o tempo de vida dos portadores de carga. É um módulo com fornecedores de energia de modo comutado (não para uso linear).O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) foi criado a partir das características do transistor bipolar e o MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). O transistor bipolar permite manipular elevadas correntes com mínimo de perdas e quedas de tensão, porém, como operam como amplificadores de corrente, exigindo correntes elevadas em suas entradas, acabam possuindo desvantagens em algumas aplicações. O Mosfet (transistor de efeito campo) também permitindo o controle de potências elevadas, sendo componentes de alta impedância (oferecendo baixa tensão de saturação), possuem baixa velocidade de comutação.O IGBT, juntando as características dos componentes explicados acima, é recomendado para conversões de elevadas cargas/tensões em alta velocidade e para aplicações em baixas frequências.
Features
– Half-bridge- Including fast free-wheeling diodes- Package with insulated metal base plate- BSM75GB120DN2 1200V 105A Half-Bridge 1
