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KD221K75 módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) foi criado a partir das características do transistor bipolar e o MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). O transistor bipolar permite manipular elevadas correntes com mínimo de perdas e quedas de tensão, porém, como operam como amplificadores de corrente, exigindo correntes elevadas em suas entradas, acabam possuindo desvantagens em algumas aplicações. O Mosfet (transistor de efeito campo) também permitindo o controle de potências elevadas, sendo componentes de alta impedância (oferecendo baixa tensão de saturação), possuem baixa velocidade de comutação.O IGBT, juntando as características dos componentes explicados acima, é recomendado para conversões de elevadas cargas/tensões em alta velocidade e para aplicações em baixas frequências.
Features
– Isolated mounting- Planar chips- Discrete fast recovery feedback diode- High Gain (Hfe)- Quick connect base-emitter signal terminals- Base-emitter speed-up diodes- KD221K75 1000V 75A Dual Darlington Transistor Module
Typical Applications
– AC motor control- DC motor control- Switching power supplies- Inverters
