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O SK60GAL123 é um módulo IGBT da família dos semicondutores.O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) foi criado a partir das características do transistor bipolar e o MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). O transistor bipolar permite manipular elevadas correntes com mínimo de perdas e quedas de tensão, porém, como operam como amplificadores de corrente, exigindo correntes elevadas em suas entradas, acabam possuindo desvantagens em algumas aplicações. O Mosfet (transistor de efeito campo) também permitindo o controle de potências elevadas, sendo componentes de alta impedância (oferecendo baixa tensão de saturação), possuem baixa velocidade de comutação.O IGBT, juntando as características dos componentes explicados acima, é recomendado para conversões de elevadas cargas/tensões em alta velocidade e para aplicações em baixas frequências.
Features
– Compact design- One screw mounting- Heat transfer and isolation through direct cooper bonding aluminium oxide ceramic (DBC)- High short circuit capability- NPT (Non-Punch-Through technology)- Vce(sat) with positive coefficient- Low tail with low temperature dependance
Typical Applications
– Switching (not for linear use)- Inverter- Switched mode power supplies- UPS
