SKM300GB063D

SKM300GB063D

O SKM300GB063D é um componente eletronico de estrutura NPT (Non Punch Through), não sendo necessário limitar o tempo de vida dos portadores de carga. É um módulo com fornecedores de energia de modo comutado (não para uso linear).O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) foi criado a partir das características do transistor bipolar e o MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). O transistor bipolar permite manipular elevadas correntes com mínimo de perdas e quedas de tensão, porém, como operam como amplificadores de corrente, exigindo correntes elevadas em suas entradas, acabam possuindo desvantagens em algumas aplicações. O Mosfet (transistor de efeito campo) também permitindo o controle de potências elevadas, sendo componentes de alta impedância (oferecendo baixa tensão de saturação), possuem baixa velocidade de comutação.O IGBT, juntando as características dos componentes explicados acima, é recomendado para conversões de elevadas cargas/tensões em alta velocidade e para aplicações em baixas frequências.

Features

– NPT-Non punch-through IGBT- Low tail current with low temperature dependence- High short circuit capability, self limiting if term. G is clamped to E- Pos. temp.-coeff. of VCEsat- 50% less turn off losses- 30% less short circuit current- Very low Cies,Coes,Cres- Latch-up free- Fast & soft inverse CAL diodes- Isolated copper baseplate using DCB direct copper bonding technology without hard mould- Large clearance (13mm) and creepage distances (20mm)

Typical Applications

– Switching (not for linear use)- Switched mode power supplies- AC inverter servo drives- UPS uninterruptable power supplies- Welding inverters

SKM300GB063D