O SKM300GB123D é um componente eletronico de estrutura NPT (Non Punch Through), não sendo necessário limitar o tempo de vida dos portadores de carga. É um módulo com fornecedores de energia de modo comutado (não para uso linear).O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) foi criado a partir das características do transistor bipolar e o MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). O transistor bipolar permite manipular elevadas correntes com mínimo de perdas e quedas de tensão, porém, como operam como amplificadores de corrente, exigindo correntes elevadas em suas entradas, acabam possuindo desvantagens em algumas aplicações. O Mosfet (transistor de efeito campo) também permitindo o controle de potências elevadas, sendo componentes de alta impedância (oferecendo baixa tensão de saturação), possuem baixa velocidade de comutação.O IGBT, juntando as características dos componentes explicados acima, é recomendado para conversões de elevadas cargas/tensões em alta velocidade e para aplicações em baixas frequências.
O módulo SKM300GB123D apresenta várias características importantes, incluindo um controle de tensão MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) que é sensível à voltagem, garantindo uma operação eficiente. Ele utiliza transistores N-channel de silício homogêneo, proporcionando baixa indutância e corrente de fuga muito baixa, minimizando a dependência da temperatura. Além disso, possui uma capacidade alta de suportar curtos-circuitos, limitando-se automaticamente a seis vezes a corrente nominal, e é livre de latch-up, garantindo uma operação estável e segura. Os diodos inversos de rápida resposta e suavidade também estão presentes, proporcionando um desempenho confiável durante inversões de corrente. O módulo utiliza tecnologia de ligação direta de cobre (DCB) para isolar a base de cobre, garantindo dissipação de calor eficiente e segurança, com ampla distância de isolamento para maior segurança elétrica.
SKM300GB123D
